BZT52C18S 数据手册 - CJ（长电科技）

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BZT52C18S 技术参数、封装参数

类型	描述
工作温度	150℃ (TJ)
最小包装数量	3000

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3 页 / 0.17 MByte

CJ（长电科技）

BZT52C18 编带

MDD（辰达半导体）

BZT52C18 编带

Diotec Semiconductor

Good-Ark Electronics（固锝）

Panjit（强茂）

BZT52-C18 稳压二极管 18V 410mW/0.41W SOD123/1206-18V marking/标记 WN

SLKOR（韩国萨科微）

最大功率：500mW 反向漏电流：0.1uA @12.6V 稳压值(典型值）：18V SOD-123

Multicomp

MULTICOMP BZT52C18 单管二极管齐纳, BZT52C系列, 18 V, 410 mW, SOD-123, 2 引脚, 150 °C

Taiwan Semiconductor（台湾半导体）

Taiwan Semiconductor BZT52C18 1 齐纳二极管, 单路, 18V 5% 500 mW 表面贴装 2-Pin SOD-123F

DC Components

Diodes（美台）

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