BZT52C6V8S 数据手册 - CJ（长电科技）

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BZT52C6V8S 技术参数、封装参数

类型	描述
工作温度	-55℃ ~ 150℃
最小包装数量	3000

CJ（长电科技）

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CJ（长电科技）

稳压二极管

MDD（辰达半导体）

BZT52C6V8 编带

Diotec Semiconductor

Vishay Semiconductor（威世）

小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes

SLKOR（韩国萨科微）

最大功率：500mW 反向漏电流：2.0uA @ 4.0V 稳压值(典型值）：6.8V SOD-123

Taiwan Semiconductor（台湾半导体）

500mW，BZT52C 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 齐纳二极管电压容差为 5% 表面安装外壳：SOD-123F ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor

Diodes（美台）

单管二极管齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-123, 6 %, 2 引脚, 150 °C

DC Components

Diodes（美台）

Silicon Standard

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