| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 容差 | ±5 % |
| 封装 | SOD-80 |
| 额定功率 | 0.5 W |
| 正向电压 | 1.5V @200mA |
| 功耗 | 500 mW |
| 测试电流 | 5 mA |
| 稳压值 | 5.1 V |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.7 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.13 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
7 页 / 0.1 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
6 页 / 0.07 MByte
Multicomp
MULTICOMP BZT55C5V1 单管二极管 齐纳, BZT55C系列, 5.1 V, 500 mW, MiniMELF, 2 引脚, 200 °C
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
500mW，BZT55C 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳：QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor
VISHAY（威世）
齐纳二极管 500mW，BZT55 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
500mW，BZT55 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
500mW，BZT55C 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳：QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
