类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 2 Pin |
封装 | SOD-80 |
针脚数 | 2 Position |
功耗 | 500 mW |
测试电流 | 5 mA |
稳压值 | 5.1 V |
正向电压(Max) | 1.5V @200mA |
额定功率(Max) | 500 mW |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.7 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 175℃ |
最小包装数量 | 2500 |
齐纳二极管 500mW,BZT55 系列,Vishay Semiconductor
●小信号齐纳二极管
●超剧烈反向特性
●低反向电流电平
●非常高的稳定性
●低噪声
●符合 AEC-Q101
●### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
7 页 / 0.13 MByte
VISHAY(威世)
7 页 / 0.11 MByte
VISHAY(威世)
6 页 / 0.07 MByte
Multicomp
MULTICOMP BZT55C5V1 单管二极管 齐纳, BZT55C系列, 5.1 V, 500 mW, MiniMELF, 2 引脚, 200 °C
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
VISHAY(威世)
齐纳二极管 500mW,BZT55 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
500mW,BZT55 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件