类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-23 |
功耗 | 250 mW |
稳压值 | 10 V |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 9.4V \---|--- 平均Typ.| 10V 最大max.| 10.6V 误差Tolerance| 5% 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 10Ω/ohm 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 0.2uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| • Total power dissipation: max. 250 mW • Voltage regulator diodes • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. • General regulation functions. • Low-power voltage regulator diodes 描述与应用| •总功耗:最大。 250毫瓦 •电压稳压二极管 •非重复性峰值反向功耗:最大。 40瓦特。 •一般调节功能。 •低功耗稳压二极管
NXP(恩智浦)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V3LT1G 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C5V1LT1G 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C6V2LT1G 单管二极管 齐纳, 6.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C18LT1G 单管二极管 齐纳, 18 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C10LT1G 单管二极管 齐纳, 10 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C15LT1G 单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C5V6LT1G 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C4V7LT1G 单管二极管 齐纳, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C8V2LT1G 单管二极管 齐纳, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C12LT1G 单管二极管 齐纳, 12 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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