类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
电容 | 105 pF |
封装 | SOT-23 |
额定功率 | 350 mW |
击穿电压 | 16 V |
功耗 | 350 mW |
测试电流 | 5 mA |
稳压值 | 16 V |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 250 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
温度系数 | 12.4 mV/℃ |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 15.3V
●\---|---
●平均Typ.| 16V
●最大max.| 17.1V
●误差Tolerance| 5%
●最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 10Ω/ohm
●最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 0.05uA
●最大耗散功率PdPower dissipation| 250mW/0.25W
●Description & Applications| • Total power dissipation: max. 250 mW • Voltage regulator diodes • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. • General regulation functions. • Low-power voltage regulator diodes
●描述与应用| •总功耗:最大。 250毫瓦 •电压稳压二极管 •非重复性峰值反向功耗:最大。 40瓦特。 •一般调节功能。 •低功耗稳压二极管
NXP(恩智浦)
110 页 / 0.53 MByte
NXP(恩智浦)
11 页 / 0.72 MByte
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V3LT1G 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C5V1LT1G 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C6V2LT1G 单管二极管 齐纳, 6.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C18LT1G 单管二极管 齐纳, 18 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C10LT1G 单管二极管 齐纳, 10 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C15LT1G 单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C5V6LT1G 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C4V7LT1G 单管二极管 齐纳, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C8V2LT1G 单管二极管 齐纳, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C12LT1G 单管二极管 齐纳, 12 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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