| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 18.0 V |
| 电容 | 100 pF |
| 容差 | ±6 % |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 350 mW |
| 击穿电压 | 18.0 V |
| 正向电压 | 900mV @10mA |
| 功耗 | 350 mW |
| 测试电流 | 5 mA |
| 稳压值 | 18 V |
| 正向电压(Max) | 900mV @10mA |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 16.8V \---|--- 平均Typ.| 18V 最大max.| 19.1V 误差Tolerance| 5% 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 45Ω/ohm 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 0.05uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| • Total power dissipation: max. 250 mW • Voltage regulator diodes • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. • General regulation functions. • Low-power voltage regulator diodes 描述与应用| •总功耗：最大。 250毫瓦 •电压稳压二极管 •非重复性峰值反向功耗：最大。 40瓦特。 •一般调节功能。 •低功耗稳压二极管
Fairchild（飞兆/仙童）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V3LT1G 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C5V1LT1G 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C6V2LT1G 单管二极管 齐纳, 6.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C18LT1G 单管二极管 齐纳, 18 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C10LT1G 单管二极管 齐纳, 10 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C15LT1G 单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C5V6LT1G 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C4V7LT1G 单管二极管 齐纳, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C8V2LT1G 单管二极管 齐纳, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C12LT1G 单管二极管 齐纳, 12 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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