类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 3.60 V |
电容 | 450 pF |
容差 | ±6 % |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 350 mW |
击穿电压 | 3.60 V |
针脚数 | 3 Position |
正向电压 | 900mV @10mA |
功耗 | 350 mW |
测试电流 | 5 mA |
稳压值 | 3.6 V |
正向电压(Max) | 900mV @10mA |
额定功率(Max) | 350 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 350 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.93 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
温度系数 | -1.75 mV/K |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min. | 3.4V \---|--- 平均Typ. | 3.6V 最大max. | 3.8V 误差Tolerance | 5% 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance | 90Ω/ohm 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 5uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 350mW/0.35W Description & Applications | • Total power dissipation: max. 250 mW • Voltage regulator diodes • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. • General regulation functions. • Low-power voltage regulator diodes 描述与应用 | •总功耗:最大。 250毫瓦 •电压稳压二极管 •非重复性峰值反向功耗:最大。 40瓦特。 •一般调节功能。 •低功耗稳压二极管
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V3LT1G 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C33LT1G 单管二极管 齐纳, 33 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V6LT1G 单管二极管 齐纳, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V9LT1G 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V0LT1G 单管二极管 齐纳, 3 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C30LT1G. 齐纳二极管, 2引脚, 30V V(Z), 6.7%, SOT-23
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C36LT1G 单管二极管 齐纳, 36 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BZX84C39LT1G 单管二极管 齐纳, 39 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
Nexperia(安世)
Nexperia BZX84-C3V3,215 单路 齐纳二极管, 3.3V 5% 250 mW, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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