| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 3.60 V |
| 容差 | ±6 % |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 350 mW |
| 输出电流 | ≤50.0 mA |
| 正向电压 | 900mV @10mA |
| 功耗 | 350 mW |
| 测试电流 | 5 mA |
| 稳压值 | 3.6 V |
| 正向电压(Max) | 900mV @10mA |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
| 温度系数 | -1.75 mV/℃ |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 3.4V
●\---|---
●平均Typ.| 3.6V
●最大max.| 3.8V
●误差Tolerance| 5%
●最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 90Ω/ohm
●最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 5uA
●最大耗散功率PdPower dissipation| 300mW/0.3W
●Description & Applications| • Total power dissipation: max. 250 mW • Voltage regulator diodes • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. • General regulation functions. • Low-power voltage regulator diodes
●描述与应用| •总功耗：最大。 250毫瓦 •电压稳压二极管 •非重复性峰值反向功耗：最大。 40瓦特。 •一般调节功能。 •低功耗稳压二极管
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V3LT1G 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C33LT1G 单管二极管 齐纳, 33 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V6LT1G 单管二极管 齐纳, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V9LT1G 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V0LT1G 单管二极管 齐纳, 3 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C30LT1G. 齐纳二极管, 2引脚, 30V V(Z), 6.7%, SOT-23
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C36LT1G 单管二极管 齐纳, 36 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C39LT1G 单管二极管 齐纳, 39 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
Nexperia（安世）
Nexperia BZX84-C3V3,215 单路 齐纳二极管, 3.3V 5% 250 mW, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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