| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 250 mW |
| 测试电流 | 2 mA |
| 稳压值 | 75 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 温度系数 | 80.2 mV/℃ |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 70V
●\---|---
●平均Typ.| 75V
●最大max.| 79V
●误差Tolerance| 5%
●最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 95Ω/ohm
●最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 0.05uA
●最大耗散功率PdPower dissipation| 250mW/0.25W
●Description & Applications| • Total power dissipation: max. 250 mW • Voltage regulator diodes • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. • General regulation functions. • Low-power voltage regulator diodes
●描述与应用| •总功耗：最大。 250毫瓦 •电压稳压二极管 •非重复性峰值反向功耗：最大。 40瓦特。 •一般调节功能。 •低功耗稳压二极管
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
11 页 / 0.72 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V3LT1G 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C5V1LT1G 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C6V2LT1G 单管二极管 齐纳, 6.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C18LT1G 单管二极管 齐纳, 18 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C10LT1G 单管二极管 齐纳, 10 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C15LT1G 单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C5V6LT1G 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C4V7LT1G 单管二极管 齐纳, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C8V2LT1G 单管二极管 齐纳, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C12LT1G 单管二极管 齐纳, 12 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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