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BZX85C18-TAP
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BZX85C18-TAP 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:齐纳二极管
封装:DO-41
描述:1.3W，BZX85 系列，Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
PDF文件:BZX85C18-TAP 数据手册 (6 页)封装尺寸在5 页
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BZX85C18-TAP 数据手册 (6 页)
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BZX85C18-TAP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
容差±5 %
封装DO-41
额定功率1.3 W
击穿电压18.0 V
功耗1.3 W
测试电流15 mA
稳压值18 V
额定功率(Max)1.3 W
工作温度(Max)175 ℃
耗散功率(Max)1.3 W
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BZX85C18-TAP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
长度4.1 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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BZX85C18-TAP 数据手册

BZX85C18-TAP 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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