| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | DO-41 |
| 击穿电压 | 3.30 V |
| 功耗 | 1.3 W |
| 测试电流 | 80 mA |
| 稳压值 | 3.3 V |
| 稳压电流 | 300 mA |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 4.1 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 2.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
| 最小包装数量 | 5000 |
齐纳二极管 1.3W，BZX85 系列，Vishay Semiconductor
●硅平面齐纳二极管（电源）
●适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
7 页 / 0.15 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1W，BZX85C 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor BZX85C3V3 单路 齐纳二极管, 3.3V 5% 1 W, 2引脚 DO-41封装
ON Semiconductor（安森美）
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 200 °C
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX85-C3V3 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
Vishay Semiconductor（威世）
硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
ST Microelectronics（意法半导体）
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