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BZX85C6V8-TAP
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BZX85C6V8-TAP 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:齐纳二极管
封装:DO-41
描述:齐纳二极管 1.3W，BZX85 系列，Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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BZX85C6V8-TAP 数据手册 (6 页)
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BZX85C6V8-TAP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
容差±5 %
封装DO-41
额定功率1.3 W
击穿电压6.80 V
功耗1.3 W
测试电流35 mA
稳压值6.8 V
额定功率(Max)1.3 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1300 mW
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BZX85C6V8-TAP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Each
长度4.1 mm
宽度2.6 mm
高度2.6 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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BZX85C6V8-TAP 数据手册

BZX85C6V8-TAP 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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