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C2012X5R1A106KT 数据手册 (72 页)
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C2012X5R1A106KT 技术参数、封装参数

C2012X5R1A106KT 外形尺寸、物理参数、其它

C2012X5R1A106KT 数据手册

TDK(东电化)
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TDK(东电化)
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C2012X5R1A106 数据手册

TDK(东电化)
MLCC-多层陶瓷电容器
TDK(东电化)
TDK  C2012X5R1A106K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 10 µF, ± 10%, X5R, 10 V, 0805 [2012 公制]
TDK(东电化)
TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
TDK(东电化)
C 系列 0805 10 uF 10 V ±10% 容差 X5R 多层陶瓷电容
TDK(东电化)
10uF (106) ±10% 编带
TDK(东电化)
TDK(东电化)
TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
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