| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 208 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.08 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 208 W |
| 阈值电压 | 3.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 1.2 kV |
| 连续漏极电流(Ids) | 36A |
| 输入电容值(Ciss) | 950pF @1000V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 208 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 长度 | 16.13 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 高度 | 21.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET
●Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。
● 增强模式 N 通道 SiC 技术
● 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V
● 多个设备易于并行且易于驱动
● 高速切换，具有低接通电阻
● 防闩锁操作
●### MOSFET 晶体管，Wolfspeed
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Wolfspeed
WOLFSPEED C2M0080120D 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 3.2 V
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