| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TO-263-8 |
| 额定功率 | 83 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 170 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 漏源击穿电压 | 900 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @600V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 83W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
CREE（美国科锐）
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Wolfspeed
Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFETWolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed
Wolfspeed
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V
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