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C3M0120090J
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C3M0120090J 技术参数、封装参数

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C3M0120090J 数据手册

Wolfspeed
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C3M0120090 数据手册

Wolfspeed
Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFETWolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率,并降低了冷却要求,以提高整体系统工作效率。• 增强模式 N 通道 SiC 技术 • 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V • 多个设备易于并行且易于驱动 • 高速切换,具有低接通电阻 • 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管,Wolfspeed
CREE(美国科锐)
C3M0120090D 管装
Wolfspeed
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V
CREE(美国科锐)
CREE(美国科锐)
C3M0120090J-TR 编带
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