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CGH60008D-GP4 数据手册 - CREE(美国科锐)
制造商:
CREE(美国科锐)
封装:
Die
描述:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CGH60008D-GP4 数据手册
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CGH60008D-GP4 数据手册 (8 页)
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CGH60008D-GP4 技术参数、封装参数
类型
描述
频率
6 GHz
封装
Die
输出功率
8 W
增益
15 dB
测试电流
100 mA
额定电压
84 V
CGH60008D-GP4 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
CGH60008D-GP4 符合标准
CGH60008D-GP4 数据手册
CGH60008D-GP4
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CREE(美国科锐)
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CGH60008
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CGH60008
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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