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CL21A475KOFNNNG 数据手册 (21 页)
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CL21A475KOFNNNG 技术参数、封装参数

CL21A475KOFNNNG 外形尺寸、物理参数、其它

CL21A475KOFNNNG 数据手册

Samsung(三星)
28 页 / 0.89 MByte
Samsung(三星)
88 页 / 5.22 MByte

CL21A475 数据手册

Samsung(三星)
0805 4.7 uF 25 V ±10 % 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL 系列 0805 4.7 uF 50 V ±10 % X5R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL21系列 0805 4.7 uF 16 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL21系列 0805 4.7 uF 10 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL21 系列 0805 4.7 uF 6.3 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
Samsung 0805 C0G/X5R MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
CL21系列 0805 4.7 uF 10 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
CL21 系列 0805 4.7 uF 6.3 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
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