| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOD-123 |
| 功耗 | 700 mW |
| 稳压值 | 33 V |
| 正向电压(Max) | 1V @200mA |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min. | 29.7V \---|--- 平均Typ. | 33V 最大max. | 36.3V 误差Tolerance | 10% 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance | 30Ω 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 10uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 700mw/0.7w Description & Applications | TOSHIBA Zener Diode Silicon Epitaxial Type.
● Use in Communication, Automation and
● Measurement Equipment
● Constant Voltage Regulation
● Transient Suppressors
● Average power dissipation: P = 0.7 W
● Zener voltage: VZ = 6.2~47 V
● Suitable for compact assembly due to small surface-mount package
● "S-FLAT" (Toshiba package name) 描述与应用 | 东芝齐纳二极管硅外延型。
●使用在通讯，自动化和
●测量设备
●恒压调节
●瞬态抑制器
●平均功耗：P=0.7 W
●齐纳电压VZ=6.2??47 V
●适用于小型汇编由于小型表面贴装封装
●"S-FLAT"（东芝包装名）
Toshiba（东芝）
4 页 / 0.18 MByte
Toshiba（东芝）
5 页 / 0.11 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
