| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PICOSTAR-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 500 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.5A |
| 上升时间 | 1 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 8.1pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 0.73 mm |
| 宽度 | 0.64 mm |
| 高度 | 0.35 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这种 20V、990mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。超低电容提高了开关速度。在数据线路 应用中，较低的电容可最大限度减少噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。
● 超低 CiSS 和 COSS
● 超低 Qg 和 Qgd
● 超小尺寸
● 0.73mm x 0.64mm
● 超薄
● 最大高度为 0.35mm
● 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
● 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了 优化
● 针对通用开关应用进行了 优化
● 电池 应用
● 手持式和移动类 应用
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD15380F3T 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 20 V, 0.99 ohm, 8 V, 1.1 V 新
TI（德州仪器）
20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、1460mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
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