Datasheet 搜索 > MOS管 > TI（德州仪器） > CSD16321Q5 Datasheet 文档
CSD16321Q5
来自 AiPCBA

CSD16321Q5 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:8-VSON-CLIP
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
PDF文件:CSD16321Q5 数据手册 (2 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD16321Q5 数据手册 (2 页)
查看文档
或点击图片查看大图

CSD16321Q5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装8-VSON-CLIP
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0019 Ω
极性N-Channel
功耗3.1 W
阈值电压1.1 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)100 A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)3100pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max)3.1 W
下降时间17 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.1W (Ta)
查看数据手册 >

CSD16321Q5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.1 mm
宽度5.1 mm
高度1.05 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

CSD16321Q5 数据手册

CSD16321Q5 数据手册
TI（德州仪器）
2 页 / 0.19 MByte
CSD16321Q5 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
37 页 / 0.79 MByte
CSD16321Q5 开发手册
TI（德州仪器）
7 页 / 0.58 MByte
CSD16321Q5 产品修订记录
TI（德州仪器）
5 页 / 0.17 MByte

CSD16321 数据手册

CSD16321Q5 数据手册
TI（德州仪器）
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD16321Q5C 数据手册
TI（德州仪器）
DualCool™ N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet