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CSD16325Q5
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CSD16325Q5 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:8-VSON-CLIP
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
PDF文件:CSD16325Q5 数据手册 (11 页)封装尺寸在6 页9 页
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD16325Q5 数据手册 (11 页)
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CSD16325Q5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装8-VSON-CLIP
通道数1 Channel
漏源极电阻0.0017 Ω
极性N-Channel
功耗3.1 W
阈值电压1.1 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)100 A
上升时间16 ns
输入电容值(Ciss)4000pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max)3.1 W
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.1W (Ta)
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CSD16325Q5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度5 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD16325Q5 数据手册

CSD16325Q5 数据手册
TI（德州仪器）
11 页 / 0.22 MByte
CSD16325Q5 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
3 页 / 0.18 MByte
CSD16325Q5 产品修订记录
TI（德州仪器）
5 页 / 0.17 MByte

CSD16325 数据手册

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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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