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CSD16327Q3
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CSD16327Q3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:PowerTDFN-8
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD16327Q3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0034 ohm, 8 V, 1.2 V
PDF文件:CSD16327Q3 数据手册 (10 页)封装尺寸在6 页8 页
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焊盘图
引脚图
产品图
CSD16327Q3 数据手册 (10 页)
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CSD16327Q3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerTDFN-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0034 Ω
极性N-Channel
功耗3 W
阈值电压1.2 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)21A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)1300pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max)3 W
下降时间6.3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta)
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CSD16327Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.4 mm
宽度3.4 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD16327Q3 数据手册

CSD16327Q3 数据手册
TI（德州仪器）
10 页 / 0.63 MByte
CSD16327Q3 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
14 页 / 0.41 MByte
CSD16327Q3 产品修订记录
TI（德州仪器）
5 页 / 0.17 MByte

CSD16327 数据手册

CSD16327Q3 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD16327Q3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0034 ohm, 8 V, 1.2 V
CSD16327Q3T 数据手册
TI（德州仪器）
25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、4.8mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
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