| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-FET-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0038 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3 W |
| 阈值电压 | 850 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | 25 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 21A |
| 上升时间 | 16.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1350pF @12.5V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3 W |
| 下降时间 | 3.1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.8 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。
●在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 40°C/W （典型值）。脉宽 ≤300μs，占空比 ≤2%
● 针对 5V 栅极驱动而优化
● VGS = 2.5V 时的额定电阻值
● 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
● 低热电阻
● 额定雪崩能量
● 无铅端子封装
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET...
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