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CSD16401Q5
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CSD16401Q5 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-Clip-8
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
PDF文件:CSD16401Q5 数据手册 (2 页)
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
CSD16401Q5 数据手册 (2 页)
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CSD16401Q5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-Clip-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0013 Ω
极性N-Channel
功耗3.1 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)25 V
漏源击穿电压25 V
连续漏极电流(Ids)100 A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)4100pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max)3.1 W
下降时间12.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.1W (Ta)
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CSD16401Q5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.1 mm
宽度5.1 mm
高度1.05 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD16401Q5 数据手册

CSD16401Q5 数据手册
TI（德州仪器）
2 页 / 0.19 MByte
CSD16401Q5 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
3 页 / 0.19 MByte
CSD16401Q5 开发手册
TI（德州仪器）
6 页 / 1.89 MByte
CSD16401Q5 产品修订记录
TI（德州仪器）
5 页 / 0.21 MByte

CSD16401 数据手册

CSD16401Q5 数据手册
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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD16401Q5T 数据手册
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25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
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