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CSD16401Q5T
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CSD16401Q5T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:8-VSON-CLIP
描述:25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
PDF文件:CSD16401Q5T 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
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焊盘图
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CSD16401Q5T 数据手册 (13 页)
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CSD16401Q5T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装8-VSON-CLIP
极性N-CH
功耗3.1 W
漏源极电压(Vds)25 V
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)3150pF @12.5V(Vds)
下降时间12.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3100 mW
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CSD16401Q5T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
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CSD16401Q5T 数据手册

CSD16401Q5T 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.34 MByte
CSD16401Q5T 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
15 页 / 0.76 MByte

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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD16401Q5T 数据手册
TI（德州仪器）
25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
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