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CSD16406Q3
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CSD16406Q3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-Clip-8
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
PDF文件:CSD16406Q3 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD16406Q3 数据手册 (13 页)
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CSD16406Q3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-Clip-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0042 Ω
极性N-Channel
功耗2.7 W
阈值电压1.7 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
上升时间12.9 ns
输入电容值(Ciss)1100pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max)2.7 W
下降时间4.8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.7W (Ta)
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CSD16406Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.4 mm
宽度3.3 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD16406Q3 数据手册

CSD16406Q3 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.37 MByte
CSD16406Q3 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
25 页 / 1.94 MByte
CSD16406Q3 开发手册
TI（德州仪器）
7 页 / 0.58 MByte
CSD16406Q3 产品修订记录
TI（德州仪器）
5 页 / 0.17 MByte

CSD16406 数据手册

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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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