类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | VSON-Clip-8 |
针脚数 | 8 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.2 W |
阈值电压 | 1.4 V |
漏源极电压(Vds) | 25 V |
连续漏极电流(Ids) | 100A |
上升时间 | 34 ns |
输入电容值(Ciss) | 6180pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.2 W |
下降时间 | 13 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.2W (Ta), 191W (Tc) |
类型 | 描述 |
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包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
● 超低电阻
● 超低 Qg和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
● 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI(德州仪器)
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