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CSD17309Q3
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CSD17309Q3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-Clip-8
描述:30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
PDF文件:CSD17309Q3 数据手册 (14 页)封装尺寸在9 页12 页
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焊盘图
引脚图
产品图
CSD17309Q3 数据手册 (14 页)
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CSD17309Q3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-Clip-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0042 Ω
极性N-Channel
功耗2.8 W
阈值电压1.2 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
上升时间9.9 ns
输入电容值(Ciss)1440pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2.8 W
下降时间3.6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta)
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CSD17309Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.4 mm
宽度3.4 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD17309Q3 数据手册

CSD17309Q3 数据手册
TI（德州仪器）
14 页 / 0.4 MByte
CSD17309Q3 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
3 页 / 0.18 MByte
CSD17309Q3 产品修订记录
TI（德州仪器）
5 页 / 0.17 MByte

CSD17309 数据手册

CSD17309Q3 数据手册
TI（德州仪器）
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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