| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | WSON-FET-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.024 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.3 W |
| 阈值电压 | 1.3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 3.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 340pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.3 W |
| 下降时间 | 1.3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.3W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 宽度 | 2 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大程度减少电源转换中的损失，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。 2mm x 2mm SON 提供针对封装尺寸的出色散热性能。
●顶视图 受限封装脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
● 符合汽车应用要求
● 针对 5V 栅极驱动进行了优化
● 超低 Qg和 Qgd
● 低热阻
● 无铅
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
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30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2Q1 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
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TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2T 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V 新
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场效应管(MOSFET) CSD17313Q2Q1T WSON-6(2x2)
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