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CSD17318Q2
来自 AiPCBA

CSD17318Q2 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
封装:SON
描述:30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON2x2、16.9mΩ 6-WSON -55 to 150
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD17318Q2 数据手册
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CSD17318Q2 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数6 Pin
封装SON
功耗2.5 W
上升时间16 ns
输入电容值(Ciss)676pF @15V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW

CSD17318Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Pre-Release
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon

CSD17318 数据手册

CSD17318Q2T 数据手册
TI（德州仪器）
晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.0126 ohm, 8 V, 900 mV
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