类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | VSON-FET-8 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.0055 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.6 W |
阈值电压 | 1.5 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 74A |
上升时间 | 7.4 ns |
输入电容值(Ciss) | 2050pF @15V(Vds) |
下降时间 | 3.4 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.6W (Ta) |
类型 | 描述 |
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包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.25 mm |
宽度 | 3.1 mm |
高度 | 0.9 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
本示例中使用的 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
●要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 48°C/W,这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2),
●2 盎司(厚度 0.071mm)的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
●## 应用范围
● 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
● 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
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