| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-Clip-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0012 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.1 W |
| 阈值电压 | 1.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 26 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7020pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.1 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.1W (Ta), 191W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.1 mm |
| 宽度 | 5.1 mm |
| 高度 | 1.05 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 30V，1.2mΩ，5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
● 极低电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
● 同步整流
● 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
13 页 / 0.81 MByte
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13 页 / 0.84 MByte
TI（德州仪器）
30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B
TI（德州仪器）
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.8mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
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