| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | 8-VSON-CLIP |
| 针脚数 | 8 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.2 W |
| 阈值电压 | 1.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 41 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 9200pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.2 W |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.2W (Ta), 96W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.1 mm |
| 宽度 | 5.1 mm |
| 高度 | 1.05 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
●顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值
●。最大 RθJC = 1.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
● 极低电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
● 同步整流
● 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用
TI（德州仪器）
36 页 / 2.63 MByte
TI（德州仪器）
31 页 / 0.79 MByte
TI（德州仪器）
30V N 通道 NexFET 功率 Mosfet
TI（德州仪器）
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
