Datasheet 搜索 > MOS管 > TI（德州仪器） > CSD17575Q3 Datasheet 文档
CSD17575Q3
来自 AiPCBA

CSD17575Q3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-Clip-8
描述:30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、3.2mΩ 8-VSON-CLIP
PDF文件:CSD17575Q3 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD17575Q3 数据手册 (13 页)
查看文档
或点击图片查看大图

CSD17575Q3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-Clip-8
极性N-CH
功耗2.8 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)60A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)4420pF @15V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 108W (Tc)
查看数据手册 >

CSD17575Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度3.3 mm
宽度3.3 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

CSD17575Q3 数据手册

CSD17575Q3 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.43 MByte
CSD17575Q3 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
8 页 / 0.39 MByte

CSD17575 数据手册

CSD17575Q3T 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD17575Q3T  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.4 V
CSD17575Q3 数据手册
TI（德州仪器）
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、3.2mΩ 8-VSON-CLIP
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet