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CSD17577Q3AT
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CSD17577Q3AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSONP-8
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V
PDF文件:CSD17577Q3AT 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
产品图
CSD17577Q3AT 数据手册 (8 页)
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CSD17577Q3AT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSONP-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.004 Ω
极性N-Channel
功耗53 W
阈值电压1.4 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)19A
上升时间31 ns
输入电容值(Ciss)1780pF @15V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)85 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 53W (Tc)
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CSD17577Q3AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.5 mm
宽度3.5 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD17577Q3AT 数据手册

CSD17577Q3AT 数据手册
TI（德州仪器）
8 页 / 0.25 MByte
CSD17577Q3AT 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.37 MByte
CSD17577Q3AT 产品修订记录
TI（德州仪器）
4 页 / 0.18 MByte

CSD17577Q3 数据手册

CSD17577Q3A 数据手册
TI（德州仪器）
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=35A P=2.8W
CSD17577Q3AT 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V
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