类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | VSONP-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.0035 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 53 W |
阈值电压 | 1.4 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 60A |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 1780pF @15V(Vds) |
下降时间 | 2 ns |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 3W (Ta), 53W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5.8 mm |
宽度 | 5 mm |
高度 | 0.76 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
●### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
TI(德州仪器)
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.4 V
TI(德州仪器)
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.8mΩ 8-VSONP -55 to 150
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