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CSD17581Q3AT
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CSD17581Q3AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSONP-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V
PDF文件:CSD17581Q3AT 数据手册 (8 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
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CSD17581Q3AT 数据手册 (8 页)
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CSD17581Q3AT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSONP-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0032 Ω
极性N-CH
功耗2.8 W
阈值电压1.3 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)60A
上升时间23 ns
输入电容值(Ciss)3640pF @15V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 63W (Tc)
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CSD17581Q3AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD17581Q3AT 数据手册

CSD17581Q3AT 数据手册
TI（德州仪器）
8 页 / 0.46 MByte
CSD17581Q3AT 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.36 MByte

CSD17581Q3 数据手册

CSD17581Q3AT 数据手册
TI（德州仪器）
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V
CSD17581Q3A 数据手册
TI（德州仪器）
CSD17581Q3A 30V N 沟道 NexFET™ MOSFET
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