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CSD18511Q5AT
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CSD18511Q5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSONP-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.8 V
PDF文件:CSD18511Q5AT 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
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焊盘图
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CSD18511Q5AT 数据手册 (13 页)
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CSD18511Q5AT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSONP-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0019 Ω
极性N-Channel
功耗104 W
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)40 V
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)5850pF @10V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.1W (Ta)
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CSD18511Q5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD18511Q5AT 数据手册

CSD18511Q5AT 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.58 MByte
CSD18511Q5AT 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
12 页 / 0.41 MByte

CSD18511Q5 数据手册

CSD18511Q5AT 数据手册
TI（德州仪器）
晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.8 V
CSD18511Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
CSD18511Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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