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CSD18531Q5A
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CSD18531Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:PowerTDFN-8
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD18531Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V
PDF文件:CSD18531Q5A 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
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焊盘图
引脚图
产品图
CSD18531Q5A 数据手册 (13 页)
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CSD18531Q5A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerTDFN-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0035 Ω
极性N-Channel
功耗3.1 W
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)100A
上升时间7.8 ns
输入电容值(Ciss)3840pF @30V(Vds)
额定功率(Max)3.1 W
下降时间2.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.1W (Ta), 156W (Tc)
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CSD18531Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度5.8 mm
宽度5 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD18531Q5A 数据手册

CSD18531Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.34 MByte
CSD18531Q5A 产品设计参考手册
TI（德州仪器）
31 页 / 0.79 MByte
CSD18531Q5A 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
14 页 / 0.36 MByte

CSD18531Q5 数据手册

CSD18531Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD18531Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V
CSD18531Q5AT 数据手册
TI（德州仪器）
60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.6mΩ 8-VSONP -55 to 150
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