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CSD18534Q5AT
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CSD18534Q5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSONP-8
描述:60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.8mΩ 8-VSONP -55 to 150
PDF文件:CSD18534Q5AT 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
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焊盘图
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CSD18534Q5AT 数据手册 (13 页)
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CSD18534Q5AT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSONP-8
通道数1 Channel
漏源极电阻9.8 mΩ
极性N-CH
功耗3.1 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间5.5 ns
下降时间2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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CSD18534Q5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6 mm
宽度4.9 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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CSD18534Q5AT 数据手册

CSD18534Q5AT 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.4 MByte
CSD18534Q5AT 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
12 页 / 0.41 MByte

CSD18534Q5 数据手册

CSD18534Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18534Q5A
CSD18534Q5AT 数据手册
TI（德州仪器）
60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.8mΩ 8-VSONP -55 to 150
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