| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 2.3 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 1.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200A |
| 上升时间 | 3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6620pF @30V(Vds) |
| 下降时间 | 3 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
这款 60V，1.6mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 晶体管 (TO)-220 塑料封装
●## 应用范围
● 次级侧同步整流器
● 电机控制
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD18535KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 279 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 V 新
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CSD18535KCS 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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