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CSD18537NQ5AT
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CSD18537NQ5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-FET-8
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
PDF文件:CSD18537NQ5AT 数据手册 (14 页)封装尺寸在9 页12 页
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焊盘图
引脚图
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CSD18537NQ5AT 数据手册 (14 页)
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CSD18537NQ5AT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-FET-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.01 Ω
极性N-Channel
功耗3.2 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间4 ns
输入电容值(Ciss)1140pF @30V(Vds)
下降时间3.2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.2W (Ta), 75W (Tc)
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CSD18537NQ5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度5.8 mm
宽度4.9 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD18537NQ5AT 数据手册

CSD18537NQ5AT 数据手册
TI（德州仪器）
14 页 / 0.67 MByte
CSD18537NQ5AT 产品设计参考手册
TI（德州仪器）
54 页 / 6.34 MByte

CSD18537NQ5 数据手册

CSD18537NQ5A 数据手册
TI（德州仪器）
60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18537NQ5AT 数据手册
TI（德州仪器）
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
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