| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 4.0 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 200 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5070pF @30V(Vds) |
| 下降时间 | 21 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
这款 60V，3.3mΩ，TO-220 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 逻辑电平
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 晶体管 (TO)-220 塑料封装
●## 应用范围
● 直流 - 直流转换
● 次级侧同步整流器
● 电机控制
●All trademarks are the property of their respective owners.
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TI（德州仪器）
CSD18542KCS 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD18542KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V 新
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60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
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