| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0033 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 250 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3900pF @30V(Vds) |
| 下降时间 | 21 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 9.25 mm |
| 宽度 | 10.26 mm |
| 高度 | 19.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 200A（Ta），170A（Tc） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
TI（德州仪器）
CSD18542KCS 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD18542KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V 新
TI（德州仪器）
60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
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