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来自 AiPCBA
CSD18543Q3A 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
PowerVDFN-8
描述:
CSD18543Q3A 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD18543Q3A 数据手册
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CSD18543Q3A 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerVDFN-8
功耗
2.8 W
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
885pF @30V(Vds)
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2800 mW
CSD18543Q3A 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.15 mm
宽度
3 mm
高度
0.9 mm
CSD18543Q3A 符合标准
CSD18543Q3A 海关信息
CSD18543Q3 数据手册
CSD18543Q3
A
数据手册
TI(德州仪器)
CSD18543Q3A 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18543Q3
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