| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-FET-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0057 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 116 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 6.3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1500pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.2 W |
| 下降时间 | 1.7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.2W (Ta), 116W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.8 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 5.7mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 逻辑电平
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 直流 - 直流转换
● 次级侧同步整流器
● 电机控制
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18563Q5A
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD18563Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V
TI（德州仪器）
60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.8mΩ 8-VSONP -55 to 150
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