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CSD19502Q5BT
来自 AiPCBA

CSD19502Q5BT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-Clip-8
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新
PDF文件:CSD19502Q5BT 数据手册 (14 页)封装尺寸在9 页12 页
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焊盘图
引脚图
产品图
CSD19502Q5BT 数据手册 (14 页)
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CSD19502Q5BT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-Clip-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0034 Ω
极性N-Channel
功耗195 W
阈值电压2.7 V
漏源极电压(Vds)80 V
漏源击穿电压80 V
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)4870pF @40V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)3.1W (Ta), 195W (Tc)
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CSD19502Q5BT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6 mm
宽度5 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD19502Q5BT 数据手册

CSD19502Q5BT 数据手册
TI（德州仪器）
14 页 / 0.79 MByte
CSD19502Q5BT 产品设计参考手册
TI（德州仪器）
9 页 / 3.2 MByte
CSD19502Q5BT 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.84 MByte
CSD19502Q5BT 开发手册
TI（德州仪器）
18 页 / 1.33 MByte

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TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新
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