| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 250 W |
| 阈值电压 | 2.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200A |
| 上升时间 | 3 ns |
| 正向电压(Max) | 1 V |
| 输入电容值(Ciss) | 5060pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
这款 100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
●引脚分配
●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，
●占空比 ≤ 1%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● D2PAK 塑料封装
●## 应用
● 次级侧同步整流器
● 热插拔
● 电机控制
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19532Q5B
TI（德州仪器）
100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
TI（德州仪器）
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250W
TI（德州仪器）
100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.9mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
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